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實驗內容：

1. 霍爾電壓在室溫和恆磁場下測量，作為控制電流的函式，並繪製在圖表上（測量不補償缺陷電壓）。
2. 在室溫下測量整個樣品的電壓，並作為磁感應B的函式恆定控制電流。
3. 樣品上的電壓在恆定控制電流下測量，作為溫度的函式。 鍺的帶間距是根據測量計算的。
4. 霍爾電壓UH在室溫下作為磁感應B的函式來測量。 從測量中計算出電荷載體和霍爾常數RH以及霍爾移動性μ_H和載體濃度p的符號。
5. 霍爾電壓UH作為恆定磁感應B時的溫度函式測量，值繪製在圖上。

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